收藏本站
NTLJS4114N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
5
20
1600
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
QT
V GS
16
1000
3
Q GD
12
2
Q GS
8
400
? 200
5
C rss
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
20
25
30
1
0
0
I D = 2 A
T J = 25 ° C
4 8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 3.0 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
4
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t f
t r
2
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
10
See Note 2 on Page 1
10 m s
100 m s
1 ms
1
SINGLE PULSE
10 ms
0.1
0.01
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NTLJS4149PTBG MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
NTLJS4159NT1G MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN
NTLTD7900ZR2G MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO
NTLUD3191PZTAG MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN
NTLUD3A260PZTBG POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6
NTLUF4189NZTAG MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN
NTLUS3192PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN
NTLUS3A18PZTBG MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN
相关代理商/技术参数
NTLJS4149P 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET
NTLJS4149PTAG 功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A TR 60MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJS4149PTBG 功能描述:MOSFET PFET 2X2 30V 4.6A 60MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLJS4159N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters
NTLJS4159NT1G 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLLD4901NF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky
NTLLD4901NFTWG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTLMS4502NR2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述: